近日，屹唐股份公告，拟通过全资子公司屹唐北京，在北京经济技术开发区投资约18亿元建设半导体集成电路装备制造基地，聚焦干法去胶、快速热处理、干法刻蚀及等离子体表面处理等设备生产。项目实施以竞得用地为前提，尚需办理备案、环评等审批。
据天眼查显示，北京屹唐半导体科技股份有限公司与屹唐半导体科技（北京）有限责任公司共同申请的“等离子体设备”“热处理腔室及热处理设备”两项发明专利于2026年10月16日公开，目前均处于审中状态。
专利摘要显示，前者通过进气盖板与环形固定件配合固定介质管内的内衬管，处理腔室与环形固定件可拆卸连接；后者在上下灯光源之间设置晶圆支撑结构，并用楔形反射板组件均衡晶圆中部与边缘之间过渡区域的光强。
