中国大陆DRAM内存芯片领域迎来重要进展，长鑫科技近日向科创板提交更新版招股说明书。作为合肥本土企业，该公司自2016年成立以来，已成长为国内唯一具备DRAM大规模量产能力的厂商。其产品广泛应用于智能手机运行内存及服务器内存条领域，在AI算力需求激增的背景下，行业地位愈发凸显——训练大模型所需的海量数据处理，直接推动DRAM市场需求持续攀升。
全球DRAM市场呈现高度集中态势，SK海力士、三星电子与美光科技三家韩美企业占据超九成份额。长鑫科技凭借技术突破跻身全球第四，2025年第四季度单季市占率达7.67%。财务表现方面，公司实现从亏损到盈利的跨越：2023年净亏损163亿元，2024年收窄至71亿元，2025年归母净利润转正至18.75亿元，2026年一季度更飙升至247.6亿元。业绩反转主要得益于DRAM价格大幅上涨，其中DDR系列单价同比上涨61%，LPDDR系列上涨24%，同期产能利用率达95.73%的满产状态。
毛利率指标凸显技术追赶成效。2025年长鑫综合毛利率（不含存货跌价转销）达37.81%，较2024年的-4.03%实现质的飞跃，与三星电子39.38%的水平接近。但与SK海力士60.41%的毛利率相比仍存差距，这主要源于后者在HBM（高带宽内存）领域的领先布局——作为英伟达GPU的配套核心组件，HBM已成为AI内存市场的最高利润产品，而长鑫招股书中未提及该领域布局。
产品结构优化成为另一增长引擎。2025年DDR5产品收入占比从2024年的13.3%跃升至31.9%，其41.89%的毛利率显著高于LPDDR系列的37.25%。这种主动升级策略有效提升了盈利水平。不过，公司也面临显著挑战：近三年购建长期资产支出累计达1646亿元，导致2025年折旧费用高达246.8亿元，且未来几年折旧压力将持续增大。截至2025年底，公司累计亏损仍达366.5亿元，短期内不具备分红能力。
本次募资295亿元将投向三大领域：75亿元用于量产线技术升级，130亿元支持DRAM技术迭代，90亿元投入前瞻技术研究。其中前瞻技术项目周期超过三年，虽短期内无法产生收益，但对缩小与行业巨头的技术代差至关重要。值得关注的是，公司预计2026年上半年归母净利润将达500亿至570亿元，较上年同期亏损23.3亿元实现大幅扭亏，这主要得益于DRAM价格持续高位运行及产品结构进一步优化。
