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消息称SK海力士V10 NAND采用375层堆叠设计 2026年内量产

   时间：2026-06-11 11:04 作者：互联网
格隆汇6月11日｜据THE ELEC，SK海力士现有V9 321L后的下一代3D NAND闪存将采用375层堆叠设计。该企业新的V10 NAND已完成生产验证，正准备量产转移，目标2026年内通过既有产线制程升级实现大规模生产。
 
 
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